Hoja de datos y manual técnico del IC200MDD845 GE VersaMax

Módulo de E/S Mixta IC200MDD845 GE VersaMax

Módulo de E/S Mixta IC200MDD845 GE VersaMax

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El GE IC200MDD845, también catalogado como el módulo de entrada y salida discreta de combinación IC200MDD845, opera como un componente...

Código: IC200MDD845

Manufacturer: GE Fanuc
Product No.: IC200MDD845
Product Type: Módulos de E/S discretas mixtas
Product Origin: USA
Payment:T/T, Western Union
Weight: 280g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

Descripción Reseñas

El GE IC200MDD845, también catalogado como el módulo de entrada y salida discreta de combinación IC200MDD845, opera como un componente de hardware dedicado para el acondicionamiento de señales discretas y la conmutación de carga dentro de las plataformas de E/S VersaMax.

Especificaciones de hardware

Parámetro	Especificación
Modelo	IC200MDD845
Marca	GE / Fanuc (Emerson)
Origen	EE. UU.
Peso	0,63 lbs (0,28 kg)
Dimensiones	Dimensiones estándar del módulo de portadora VersaMax
Temperatura de funcionamiento	Límites de funcionamiento del cerramiento industrial
Consumo de energía	270 mA máximo desde el Backplane
Línea de producto	VersaMax I/O
Recuento total de canales	24 puntos (16 entradas discretas / 8 salidas de relé)
Voltaje nominal de entrada	24 VCC (rango de 18 a 30 VCC)
Corriente de señal de entrada	2,0 a 5,5 mA (estado activado), 0 a 0,5 mA (estado desactivado)
Tipo de contacto de salida	8 contactos Form A (normalmente abiertos)
Rango de voltaje de salida	0 a 125 VCC, 0 a 265 VCA (47 a 63 Hz)
Clasificación de salida (resistiva)	2,0 A a 5-265 VCA, 2,0 A a 5-30 VCC, 0,2 A a 31-125 VCC
Aislamiento	Aislamiento de canal a canal en las salidas
Base de portadora requerida	Base de portadora serie IC200CHS

Velocidad de comunicación del bus del backplane y compatibilidad con firmware flash

El IC200MDD845 gestiona el intercambio de datos discretos de alta velocidad a través del backplane del portador VersaMax, preservando la velocidad de comunicación determinista del bus del backplane durante ciclos de actualización simultáneos de 24 puntos. Los registros de memoria incorporados mantienen la sincronización de parámetros con la CPU VersaMax principal o la unidad de interfaz de red, validando la compatibilidad del firmware flash del módulo para ejecutar el escaneo de entrada discreta en tiempo real y la actuación del relé sin degradación del bus.

Preguntas frecuentes

P: ¿Cuáles son los límites de consumo de corriente del backplane para el IC200MDD845?

R: El módulo consume una corriente máxima de 270 mA de la línea de suministro de 5 VCC del backplane, dependiendo del número total de puntos de entrada y salida activos simultáneamente.

P: ¿Los canales de salida de relé Form A del IC200MDD845 están fusionados internamente?

R: No, los canales de salida son contactos de relé Form A aislados individualmente, pero no incluyen fusibles internos ni circuitos de supresión; se debe proporcionar protección de circuito externa.

P: ¿Qué base de portadora se requiere para montar el IC200MDD845 en un rack de E/S VersaMax?

R: El módulo requiere una base de portadora de la serie IC200CHS para establecer la conexión del backplane y facilitar las terminaciones del cableado de campo.

Pautas de instalación en campo

Desconecte la alimentación del backplane de la base de la portadora de E/S y aísle las fuentes de voltaje de campo externas antes de instalar o retirar el módulo.
Póngase una muñequera de conexión a tierra ESD conectada a una superficie metálica sin pintar del bastidor del cerramiento para evitar daños por estática.
Alinee los conectores del borde de la tarjeta del módulo con las ranuras guía de la base de la portadora IC200CHS y empuje firmemente hasta que el módulo se enganche de forma segura.
Asegúrese de que el cableado de entrada de lógica positiva de 24 VCC y las conexiones de carga de salida de alto voltaje mantengan vías de conducto separadas para evitar la diafonía inductiva.
Aplique fusibles externos o dispositivos de supresión de sobretensiones en cada canal de salida de relé Form A aislado para proteger los contactos de campo contra transitorios de carga inductiva.

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